K4UBE3D4AB-MGCL
Samsung Electronics描述: | DRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 256Gbit 8Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin FBGA |
推出日期: | Apr 24, 2023 |
更新: 23-SEP-2024 | |
在线版本: https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/k4ube3d4ab-mgcl-samsung-electronics-1849751125
概述
概述熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
数据手册
数据手册通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)
参数
参数参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
您必须登录才能查看受限信息。
生产线
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Number of I/O Lines
Number of Bits per Word
Supplier Temperature Grade
Process Technology
Refresh Cycles
Maximum Refresh Cycle Time
Operating Supply Voltage
Density
类型
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits
替代型号
替代型号