NT5AD256M16E4-JR

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Nanya Technology
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描述:

DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TFBGA

推出日期:

Feb 10, 2022

更新: 05-OCT-2024


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在线版本: https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/nt5ad256m16e4-jr-nanya-technology-1845245488

overview概述

熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征,以及其与行业标准和法规的符合情况。

lifeCycleinfo
EURohs
rohs yes
RoHSVersion
2011/65/EU, 2015/863
ECCNinfo
EAR99
autoMotive
rohs unknown未知状态
SupplierCageCodeinfo
SBJ87
HTSUSAinfo
8542320036
SCHDULEBinfo
8542320023
类别路径
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

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Number of I/O Lines
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Number of Bits per Word
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Supplier Temperature Grade
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Process Technology
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Refresh Cycles
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Maximum Refresh Cycle Time
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Operating Supply Voltage
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Density
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类型
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Interface Type
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Organization
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Maximum Clock Rate
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Maximum Access Time
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Number of Internal Banks
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Number of Words per Bank
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Typical Operating Supply Voltage
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Minimum Operating Supply Voltage
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Maximum Operating Supply Voltage
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Minimum Operating Temperature
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Maximum Operating Temperature
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Data Bus Width
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Address Bus Width
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Maximum Operating Current
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Density in Bits
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